买卖IC网 >> 产品目录 >> SI8812DB-T2-E1 MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI8812DB-T2-E1

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 20 V
闸/源击穿电压 8 V
漏极连续电流 3.2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.59 Ohms at 4.5 V
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 Micro Foot-4
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI8812DB-T2-E1
SI8816EDB-T2-E1
SI8817DB-T2-E1
SI8821EDB-T2-E1
SI88240ED-IS
SI88241ED-IS
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深圳市诚创信科技有限公司 13135041015 廖敏
  • SI8812DB-T2-E1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.4 0.4
    10 0.332 3.32
    100 0.29 29
    250 0.262 65.5
    3,000 0.1794 538.2
    6,000 0 0